一、引言 微型光機電系統（MOEMS）是微光學、微電子和微機械三者結合的產物，也是機、電、光、磁、化學、傳感技術等多種技術的綜合。作為光電信號轉換系統，MOEMS的應用遍及光通信、光顯示、數據存儲、自適應光學及光學傳感等多個方面。利用MOEMS技術制作的新型光器件，介入損耗小，光路間相互串擾極低，對光的波長和偏振不敏感，并且通常以硅為主要材料，從而使器件的光學、機械、電氣性能優良；而且，由于采用了模塊化設計，更加方便了擴展應用。 與MEMS系統相比較，MOEMS系統的結構并不復雜，可是實際制造的復雜程度更高，實施的困難更大。因為系統必須留出一條光通道，但是其核心芯片卻要密閉封裝以防敏感的光學器件受到外界光線的影響，其關鍵是選用何種材料在密閉封裝內做出導光蓋或天窗。目前雖有多種材料可供選擇，但是大多數天窗都采用陶瓷或金屬以確保良好的密封性能。 與傳統工藝的傳感器相比，用MOEMS技術制作的傳感器具有許多優點，如可以在嚴酷的環境下工作，有很大的傳輸帶寬、很高的靈敏度、響應速度很快；而且，當光解調技術被應用以后，可以實現多傳感器之間的相互問詢[1]。如在一個MOEMS傳感器陣列中使用波分復用（WDM）技術后，信號的收集就會變得更簡單；同時，與以前使用電解調相比，效率也大為提高。 二、MOEMS 壓力傳感器的分類及結構 光學壓力傳感器是MOEMS傳感器中的一種，因為使用了單?；蚨嗄９饫w，又被稱為光纖壓力傳感器。根據測量原理，光學壓力傳感器有幾種主要的類型：光頻率式壓力傳感器、光強式壓力傳感器、相位式（干涉式）壓力傳感器和偏振光式壓力傳感器，而這其中，偏振光式壓力傳感器可以被看成是光強式壓力傳感器的一種[3]。
光強式壓力傳感器是結構zui為簡單的一種，它由光源、光纖束、硅膜和信號接收器構成，其中，光纖束由一根傳送光纖和圍繞在它周圍的接收光纖組組成。光源一般采用發光二級管，其發出的光束經過傳送光纖到達硅膜，從硅膜反射后，接收光纖組將其傳送到信號接收器，zui終轉換為電信號輸出。這種傳感器的精度雖然不太高，但是結構簡單，制作起來相對簡單。
相位式壓力傳感器是我們介紹的重點,它有兩種類型：一種為內置琺珀（Fabry－Perot）干涉儀式，另一種是內置非平衡Mach—Zehnder干涉儀式。琺珀干涉儀式的主結構（見圖1）由傳輸光纖、一個帶圓柱型空腔的玻璃基底和硅膜組成，硅薄膜覆蓋在空腔的一面，光纖則穿過玻璃板，把光束垂直入射到硅膜和空腔的交接面上。空腔的兩面上各有一個半透膜，這個半透膜可以是金屬膜或是介質膜，這樣便組成了一個琺珀干涉儀。工作時，光源發出的激光束經過正弦調制后照射硅膜，硅膜吸收光能后局部發生形變，形變周期與調制光的周期一致，因此當光源的調制頻率與硅膜的微形變固有頻率一致時，硅膜的周期形變演變為諧振[2]。入射光在光纖末端反射的部分與在硅膜表面反射的部分之間會形成干涉，測得的干涉光強的調制頻率就是硅膜的諧振頻率。當待測壓力引起薄硅膜的形變時，兩個半透膜之間的距離發生改變，這種改變會導致整個空腔的諧振頻率產生變化，使諧振頻率與待測壓強形成對應關系。這種結構的關鍵參數是硅膜的厚度、空腔的的深度和空腔的直徑，正確的選擇這幾個參數可以保證傳感器在不同的壓力范圍內能夠產生線性的響應。 這種壓力傳感器有兩大優點：一是高靈敏度，比如說當硅膜的形變只有 0.25 µm時，其反射系數可以從0.5變化到0；而且，配合高強度激光，該種傳感器能夠產生很高的分辨率。第二個優點是體積小，而第三個優點則是對源功率波動不敏感。當然，這種傳感器也有一些缺點，zui明顯的就是結構復雜和工藝要求較高?？涨粌鹊膬蓚€半透膜必須保持適當的距離，且還必須非常光滑，這一切都給制造工藝帶來了很大的困難。 相位式光學壓力傳感器的另一種類型是基于非平衡M—Z干涉儀的壓力傳感器。它是由在同一個硅片上加工出的力敏硅膜和一個非平衡M—Z干涉儀組成的。M—Z干涉儀的一臂（感應臂）放置在硅膜的邊緣，而其另一臂（參考臂）則遠離硅膜。在工作狀態下，光源發出的光束經過一個波導管分為等強度的兩束光,它們在不等長度的兩干涉臂中傳輸后產生一定的光程差，相位因此不同，zui終在另一個波導管中產生干涉并輸出。當壓力使硅膜發生形變時，通過光彈效應，改變了波導模式的有效系數，因而使干涉儀的輸出光強被改變并被檢測到，通過檢測到的光強即可知壓力的變化。 zui后介紹一下偏振光式壓力傳感器，這種傳感器也可歸類為光強壓力傳感器。其工作原理為：入射光經過起偏器后變成線性的偏振光，某些特定方向的光線允許通過。接下來，光束通過光彈物質后，以垂直于壓力傳播的方向出射。出射光經過另一個偏光鏡，其傳播方向與*個偏光鏡相同。當壓力使光彈性物質發生形變后，光束的偏振方向發生改變，致使透過第二個偏光鏡的光束強度發生改變。通過檢測出射光強的變化，即可測得壓力大小。這種傳感器易受溫度影響，因此多用于靜態壓力的測量。 三、MOEMS壓力傳感器的制作工藝 基于琺珀干涉儀的壓力傳感器的制作工藝比較復雜[4]。首先是硅膜的制取，其厚度的選擇取決于待測的壓力范圍，目前多用超薄硅片來作為硅膜，因為超薄硅片的厚度已經達到了對硅膜厚度的要求，相對與用傳統的沉積法和犧牲層工藝制成的硅膜，其厚度更薄，質量更高。據報道，國外某公司制作的超薄硅片的厚度只有2mm左右，尺寸為4in.。當然，這種超薄的硅片也給工藝過程帶來了不少困難。其次是玻璃的處理，玻璃基底的材料要選用耐熱玻璃，其上的空腔和嵌入光纖的通道是用超聲鉆孔法做出的；同時，它也經過了微機械加工工藝的處理。下一步則是在經過微機械工藝加工的玻璃中嵌入光纖。光纖的外圍用環氧樹脂粘合劑緊固了一個金屬環，金屬環和光纖的末端經拋光處理后變得光滑平整。此步驟的關鍵是粘合劑的選擇，粘合劑的反射率要比光纖低，這樣能確保光線不外露。zui后是把帶有空腔的玻璃片和硅膜用陽極鍵合的方法結合在一起。
基于M－Z干涉儀的壓力傳感器的關鍵制作工藝是在硅片上做出干涉儀結構和力敏薄膜[5]。干涉儀結構是先把硅的氮化物沉積在硅片上，再通過光刻確定其基本形狀，zui后用刻蝕法得到的。而力敏薄膜則是先在硅片上沉積SiO2，再用光刻法確定出薄膜的基本形狀，zui終用各向異性腐蝕法獲得的。
從上面的敘述中，我們可以看出，光學壓力傳感器的制作工藝是非常復雜的。因此，改進工藝流程，降低工藝成本，也就成為各國從事MOEMS的科技工作者的首要研究目標。 四、MOEMS壓力傳感器陣列 傳感器陣列是多個傳感器的有機組合，它的精度高，重復性好，可以進行分布式測量。
普通光學壓力傳感器陣列是用兩個SOI（硅絕緣體）晶片制成的，每一個晶片都由超薄的單晶硅層和一個氧化物掩埋層組成。制作時，首先在一個晶圓的外部氧化出一個SiO2層，再用光刻法確定一系列空腔的位置，接著用各向異性腐蝕法刻蝕出空腔，并去除多余的SiO2 層，此時的空腔底部就是掩埋層的表面。然后，把這個晶片和未經處理過的晶片鍵和在一起，上面晶片的單晶硅層就成為覆蓋在空腔上的力敏薄膜，整個傳感器陣列就形成了。圖2為一個MOEMS 傳感器陣列的結構圖，整個陣列中的單個傳感器通過單模光纖的輸入和輸出來進行數據交換。如圖2所示，硅片上有一個硅基光波導解調網絡，單個傳感器通過這個網絡連接在一起，完成信息交換和傳輸。
制作陣列需要對膜片厚度和表面一致性進行非常嚴格的控制，因此蝕刻工藝成為影響膜片性質的重要一步。同時封裝也是陣列制作的非常重要的一環，要求使傳感器能夠抵抗高溫和強烈的震動，并使傳感器免受非重要環境因素的影響。
目前，科學家們正在研制一種新型的壓力傳感器混合陣列，它的特殊之處是在硅片中整合了布拉格光纖光柵，可以為復合輸出技術提供一個非常有用的平臺，但是這種器件將會受許多環境因素的制約，比如溫度等。
光學壓力傳感器陣列經常被用在推力測試中，以便獲得在一段距離上的壓力圖譜，此時，陣列中的傳感器數目會相當的龐大。因此多路復用技術（WDM）將會發揮很大的作用。 五、結論 MOEMS壓力傳感器有著非常的靜態和動態特性，尤其是在推力測試的場合中。而且，隨著微電子技術、微機械技術以及微光學技術的不斷發展和深入的融合，MOEMS技術必將取得更大的輝煌，而用MOEMS技術制作的傳感器也必將把傳感器技術帶上一個新的高度。 |
